敲定芯片设计研究所的相关事项后，石莫又相继在2012实验室设立了多个研究所，形成一个以计算机为主的研发集群，精细化分工合作来整体推进计算机项目。
计算机研发集群为芯片设计研究所，半导体研究所，半导体设备研究所，电子元器件研究所，超级计算机研究所，前沿技术研究所，计算机系统研究所，计算机应用软件研究所，网络设备研究所。
2012实验室半导体研究所：是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究所，研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。主要负责人有马佐凭、施铭、崔奇和胡正民。
马佐凭，微电子科学家。1945年11月生于gs省lz市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。后任美国耶鲁大学教授、耶鲁大学电机系系主任、耶鲁大学微电子研究中心共同主任、天津大学名誉教授。是美国工程院院士、中科院外籍院士。
马佐凭做芯片上主要器件的研究，晶体管，cmos等。马佐凭对金属/氧化物/半导体（mos）的科学认知及技术发展，尤其是在mos栅介质（包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。
施铭，1957年毕业于台湾大学，之后赴美留学；1960年获得华盛顿大学硕士学位；1963年获得斯坦福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作，1967年发明了非挥发性记忆体，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术；1994年当选为台湾中央研究院院士；1995年当选为美国国家工程院院士；1998年当选为中国工程院外籍院士；
施铭主要研究微电子科学技术与半导体器件，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
崔奇，1957年从香港培正中学毕业，1958年赴美国深造，就读于伊利诺伊州奥古斯塔纳学院。1967年在美国芝加哥大学获物理学博士学位，此后到著名的贝尔实验室工作。1982年起任普林斯顿大学电子工程系教授，是美国国家科学院院士，美国国家工程院院士，中国科学院外籍院士，中科院荣誉教授。1998年10月13日，瑞典皇家科学院宣布把1998年诺贝尔物理奖授予崔奇与德国科学家霍斯特施特默和美国科学家罗伯特劳克林，主要表彰他们发现并解释了电子量子流体这一特殊现象。
崔奇主要从事电子材料基本性质等领域的研究，主要学术兴趣是研究金属和半导体中电子的性质。他的这些研究将可应用于研制功能更强大的计算机和更先进的通信设备。
胡正民，微电子学家。1968年台湾大学电机系毕业，获学士学位。1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。是美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。
胡正民是鳍式场效晶体管(finfet)的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，并且在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。
2012实验室半导体设备研究所：主要研发半导体生产过程中用到的相关设备，有单晶炉、气相外延炉、分子束外延系统、氧化炉、低压化学气相淀积系统、等离子体增强化学气相淀积系统、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、反应离子刻蚀系统、icp等离子体刻蚀系统、离子注入机、探针测试台、晶片减薄机、晶圆划片机、引线键合机等。这个研究所由林本间负责。
石莫要建立完整的半导体产业链，装备产业将是重要环节，其中需要更多的创新，才能引领世界半导体设备的发展，并推动公司的芯片工艺制程和技术跨越式提升。
2012实验室电子元器件研究所：主要研发电脑主板上的各种电子元器件，以后还会研发一些其他电子产品的元器件，需要研发的元器件有电阻、电容器、电位器、电子管、晶体管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、印刷电路用基材基板等。这个研究所由卓以何和蔡少堂负责。
卓以何，1955年赴美，1960年毕业于美国伊利诺斯大学，1961年、1968年先后获该校硕士、博士学位。美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）、中国科学院外籍院士（1996）。
卓以何教授是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者。对3－v族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。
蔡少堂，1959年在菲律宾mapua理工学院获得电气工程学士学位，1961年和1964年分别在麻省理工学院和伊利诺伊大学厄巴纳尚佩恩分校获得硕士和博士学位。1964-1970年在普度大学任教，1971年加入加州大学伯克利分校。提出了忆阻器、chua电路和细胞神经网络等理论。
2012实验室超级计算机研究所，其宗旨是研究和开发公司自主的高性能计算机系统。科研工作主要集中在高性能计算机系统结构、系统软件、高性能并行算法、高性能计算应用、可重构加速计算等几个方向。这个研究所由陈世青负责。
陈世青，1972年获得硕士学位，随后进入美国伊利诺大学攻读博士，师从美国太空总署第一部超级计算机的首席设计师戴维库克教授。1979年，他进入当时处于超级计算机市场垄断地位的世界超级计算机之父克雷的公司。是后世美国国家工程院院士，美国艺术与科学院院士，全球著名的超级计算机专家。研
陈世青研发了世界上第一台科学用的并行向量超级计算机；研发了使用通用性cpu的大型企业服务器系统；研发了世界第一台128个刀片式的超级计算机；研发了世界上第一个以互联网为基础、应用对应用、动态的成本效率高的企业协同作业中间软件；研发了世界上第一个以超级计算机为基础、全球联网形成类似电脑网格的信息网络。
超级计算机是高科技发展的要素，也是一个国家在国防和经济方面的必争利器。美国军事密码破译，航天太空舱和风洞仿真实验，氢弹、核弹、飞弹、航空母舰、战机和战车等各种新式武器研制，以及美国经济重点企业诸如能源、航空、汽车、气象、化工、材料等方面都会大量使用超级计算机技术，可以说，超级计算机的价值日益重要，能够作为一个国家高科技水平的关键衡量标准，掌握这个技术的重要性自不待言，石莫这是在提前布局。
然后石莫让汪正评负责建立公司的晶圆厂，用于生产cpu芯片等。还让马佐凭、施铭、崔奇、胡正民、林本间、蔡少堂、卓以何等人协助汪正评解决晶圆厂生产过程中出现的各种技术问题。
汪正评，1975年汪正平从宾夕法尼亚州州立大学博士毕业后到斯坦福大学作博士后研究。1977年加入贝尔实验室工作，先后担任研究员、首席科学家、杰出科学家。2000年当选为美国国家工程院院士；2010年全职回国，被聘为香港中文大学工程学院院长，电子工程讲座教授；2013年当选中国工程院外籍院士；2015年当选为香港科学院创院院士
汪正平长期从事电子封装研究，在封装材料领域发表学术论文1000多篇，申请美国专利60余项，被ieee授予电子封装领域最高荣誉奖-ieee元件、封装和制造技术奖。
2012实验室前沿技术研究所，是一个“创新实验室”，也叫“创意工厂”。此研究所会招募大量高端人才，研究世界上最前沿的技术，目标是系统化挑选出有前途的技术。这些技术它们必须是解决能够影响数百万甚至数十亿人的大问题。设立项目时必须提出彻底解决这个问题的办法，必须有突破性的技术来解决问题。前沿技术研究所能够让公司一直处于时代前沿，不会落伍。
石莫还敲定了几个项目，打印机、超市收钱柜、液晶显示器和锂电池项目。
80年现在绝大部分电视机和电脑都是采用crt显示器，液晶显示器的技术现在还不成熟，以及制造成本高昂抑制了液晶显示器的发展之路。要到21世纪时液晶显示器才会全面取代笨重的crt显示器成为主流的显示设备。石莫这是在提前布局。
80年现在的充电电池还是以镍镉电池为主流，但随着人们环保意识的日益增加，铅、镉等有毒金属的使用日益受到限制，因此需要寻找新的可代替传统铅酸电池和镍镉电池的可充电电池。锂离子电池就成为了有力的候选者之一。1990年前后发明了锂离子电池，1991年锂离子电池实现商品化。电池在21世纪已经成为人类社会必不可少的便捷能源，拥有巨大的市场价值，石莫这是在提前布局。
计算机研发集群为芯片设计研究所，半导体研究所，半导体设备研究所，电子元器件研究所，超级计算机研究所，前沿技术研究所，计算机系统研究所，计算机应用软件研究所，网络设备研究所。
2012实验室半导体研究所：是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究所，研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。主要负责人有马佐凭、施铭、崔奇和胡正民。
马佐凭，微电子科学家。1945年11月生于gs省lz市。1974年获得美国耶鲁大学博士学位。后任美国耶鲁大学教授、耶鲁大学电机系系主任、耶鲁大学微电子研究中心共同主任、天津大学名誉教授。是美国工程院院士、中科院外籍院士。
马佐凭做芯片上主要器件的研究，晶体管，cmos等。马佐凭对金属/氧化物/半导体（mos）的科学认知及技术发展，尤其是在mos栅介质（包括高介电常数的栅介质）的科技领域做出重要贡献。
施铭，1957年毕业于台湾大学，之后赴美留学；1960年获得华盛顿大学硕士学位；1963年获得斯坦福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作，1967年发明了非挥发性记忆体，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术；1994年当选为台湾中央研究院院士；1995年当选为美国国家工程院院士；1998年当选为中国工程院外籍院士；
施铭主要研究微电子科学技术与半导体器件，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。
崔奇，1957年从香港培正中学毕业，1958年赴美国深造，就读于伊利诺伊州奥古斯塔纳学院。1967年在美国芝加哥大学获物理学博士学位，此后到著名的贝尔实验室工作。1982年起任普林斯顿大学电子工程系教授，是美国国家科学院院士，美国国家工程院院士，中国科学院外籍院士，中科院荣誉教授。1998年10月13日，瑞典皇家科学院宣布把1998年诺贝尔物理奖授予崔奇与德国科学家霍斯特施特默和美国科学家罗伯特劳克林，主要表彰他们发现并解释了电子量子流体这一特殊现象。
崔奇主要从事电子材料基本性质等领域的研究，主要学术兴趣是研究金属和半导体中电子的性质。他的这些研究将可应用于研制功能更强大的计算机和更先进的通信设备。
胡正民，微电子学家。1968年台湾大学电机系毕业，获学士学位。1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。是美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。
胡正民是鳍式场效晶体管(finfet)的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，并且在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。
2012实验室半导体设备研究所：主要研发半导体生产过程中用到的相关设备，有单晶炉、气相外延炉、分子束外延系统、氧化炉、低压化学气相淀积系统、等离子体增强化学气相淀积系统、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、反应离子刻蚀系统、icp等离子体刻蚀系统、离子注入机、探针测试台、晶片减薄机、晶圆划片机、引线键合机等。这个研究所由林本间负责。
石莫要建立完整的半导体产业链，装备产业将是重要环节，其中需要更多的创新，才能引领世界半导体设备的发展，并推动公司的芯片工艺制程和技术跨越式提升。
2012实验室电子元器件研究所：主要研发电脑主板上的各种电子元器件，以后还会研发一些其他电子产品的元器件，需要研发的元器件有电阻、电容器、电位器、电子管、晶体管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、印刷电路用基材基板等。这个研究所由卓以何和蔡少堂负责。
卓以何，1955年赴美，1960年毕业于美国伊利诺斯大学，1961年、1968年先后获该校硕士、博士学位。美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）、中国科学院外籍院士（1996）。
卓以何教授是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者。对3－v族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。
蔡少堂，1959年在菲律宾mapua理工学院获得电气工程学士学位，1961年和1964年分别在麻省理工学院和伊利诺伊大学厄巴纳尚佩恩分校获得硕士和博士学位。1964-1970年在普度大学任教，1971年加入加州大学伯克利分校。提出了忆阻器、chua电路和细胞神经网络等理论。
2012实验室超级计算机研究所，其宗旨是研究和开发公司自主的高性能计算机系统。科研工作主要集中在高性能计算机系统结构、系统软件、高性能并行算法、高性能计算应用、可重构加速计算等几个方向。这个研究所由陈世青负责。
陈世青，1972年获得硕士学位，随后进入美国伊利诺大学攻读博士，师从美国太空总署第一部超级计算机的首席设计师戴维库克教授。1979年，他进入当时处于超级计算机市场垄断地位的世界超级计算机之父克雷的公司。是后世美国国家工程院院士，美国艺术与科学院院士，全球著名的超级计算机专家。研
陈世青研发了世界上第一台科学用的并行向量超级计算机；研发了使用通用性cpu的大型企业服务器系统；研发了世界第一台128个刀片式的超级计算机；研发了世界上第一个以互联网为基础、应用对应用、动态的成本效率高的企业协同作业中间软件；研发了世界上第一个以超级计算机为基础、全球联网形成类似电脑网格的信息网络。
超级计算机是高科技发展的要素，也是一个国家在国防和经济方面的必争利器。美国军事密码破译，航天太空舱和风洞仿真实验，氢弹、核弹、飞弹、航空母舰、战机和战车等各种新式武器研制，以及美国经济重点企业诸如能源、航空、汽车、气象、化工、材料等方面都会大量使用超级计算机技术，可以说，超级计算机的价值日益重要，能够作为一个国家高科技水平的关键衡量标准，掌握这个技术的重要性自不待言，石莫这是在提前布局。
然后石莫让汪正评负责建立公司的晶圆厂，用于生产cpu芯片等。还让马佐凭、施铭、崔奇、胡正民、林本间、蔡少堂、卓以何等人协助汪正评解决晶圆厂生产过程中出现的各种技术问题。
汪正评，1975年汪正平从宾夕法尼亚州州立大学博士毕业后到斯坦福大学作博士后研究。1977年加入贝尔实验室工作，先后担任研究员、首席科学家、杰出科学家。2000年当选为美国国家工程院院士；2010年全职回国，被聘为香港中文大学工程学院院长，电子工程讲座教授；2013年当选中国工程院外籍院士；2015年当选为香港科学院创院院士
汪正平长期从事电子封装研究，在封装材料领域发表学术论文1000多篇，申请美国专利60余项，被ieee授予电子封装领域最高荣誉奖-ieee元件、封装和制造技术奖。
2012实验室前沿技术研究所，是一个“创新实验室”，也叫“创意工厂”。此研究所会招募大量高端人才，研究世界上最前沿的技术，目标是系统化挑选出有前途的技术。这些技术它们必须是解决能够影响数百万甚至数十亿人的大问题。设立项目时必须提出彻底解决这个问题的办法，必须有突破性的技术来解决问题。前沿技术研究所能够让公司一直处于时代前沿，不会落伍。
石莫还敲定了几个项目，打印机、超市收钱柜、液晶显示器和锂电池项目。
80年现在绝大部分电视机和电脑都是采用crt显示器，液晶显示器的技术现在还不成熟，以及制造成本高昂抑制了液晶显示器的发展之路。要到21世纪时液晶显示器才会全面取代笨重的crt显示器成为主流的显示设备。石莫这是在提前布局。
80年现在的充电电池还是以镍镉电池为主流，但随着人们环保意识的日益增加，铅、镉等有毒金属的使用日益受到限制，因此需要寻找新的可代替传统铅酸电池和镍镉电池的可充电电池。锂离子电池就成为了有力的候选者之一。1990年前后发明了锂离子电池，1991年锂离子电池实现商品化。电池在21世纪已经成为人类社会必不可少的便捷能源，拥有巨大的市场价值，石莫这是在提前布局。
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